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一種在原料氧化情況下制備單一相高錳硅薄膜的工藝方法(預披露)
2024-12-03
項目名稱：一種在原料氧化情況下制備單一相高錳硅薄膜的工藝方法
項目編號：QYZS-XK-2024-00269
掛牌價格： --
掛牌時間：2024-12-03 至 2024-12-31
一種在原料氧化情況下制備單一相高錳硅薄膜的工藝方法
一、成果基本信息
成果基本信息 | 成果名稱 | 一種在原料氧化情況下制備單一相高錳硅薄膜的工藝方法 |
成果所屬單位 | 貴州大學 | |
成果所屬領(lǐng)域 | 先進制造與自動化 | |
成果關(guān)鍵詞 | 原料氧化；磁控濺射；真空退火；高錳硅薄膜； | |
成果所屬學科 | 半導體材料 | |
交易方式 | 面議 |
二、成果簡介
本發(fā)明公開了一種在原料氧化情況下制備單一相高錳硅薄膜的工藝方法：以含有MnO的Mn靶材作為原料，在Si襯底上通過磁控濺射的方法制備薄膜，構(gòu)成“Si襯底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三層結(jié)構(gòu)樣品，進而在真空條件下高溫退火?；谠摴に囖k法，通過控制“Si襯底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三層結(jié)構(gòu)中的Si薄膜中間層濺射時間，可以完全消除掉本來含量占比很大的MnO，獲得單一相的高錳硅薄膜材料。
三、成果轉(zhuǎn)化預期：
可顯著降低獲得高錳硅薄膜對原料、儲存及工藝條件的要求，使得高錳硅薄膜的制備更為簡單，產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)成本降低，生產(chǎn)效率得到提高。
特別聲明
1.本公告僅對成果進行推介，接受意向方咨詢與洽談，以上介紹中的內(nèi)容僅供參考。
2.貴州陽光產(chǎn)權(quán)交易所通過自身網(wǎng)站及相關(guān)媒體發(fā)布的項目信息并不構(gòu)成貴州陽光產(chǎn)權(quán)交易所對任何項目的任何交易建議。意向方應不依賴于已披露的上述信息并自行對項目的相關(guān)情況進行必要的盡職調(diào)查和充分了解。
項目聯(lián)系人 ：趙經(jīng)理
聯(lián) 系 電 話：15085914974